@Schimmi:
Hmm also keine Diode in Reihe. Man könnte ja wieder den Strom (diesmal andere Polarität) an dem Shunt überwachen und dann mit nem Relais abschalten, wenn er zu hoch wird. Aber durch das Relais würde das vermutlich viel zu lange dauern.
Eine Diode in Reihen zum Eingang als Verpolschutz lehne ich kategorisch ab. Die ist viel zu nichtlinear.
Meinste nicht, dass die Nichtlinearität zu vernachlässigen wäre, wenn man die Diode z.B. zwischen R35 und R19 schaltet?
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Um die Stromtragfähigkeit leistungselektronischer Schalter zu erhöhen, können IGBT- und
MOSFET-Module parallelgeschaltet werden.
Aber der MOSFET arbeitet hier nicht als Schalter.
Ich hab auch schon mal Versuche gemacht, und dabei mehrere MOSFETs parallel geschaltet. Dabei ist meistens immer einer sehr heiß geworden udn die anderen gar nicht. Hab dann mal nachgemessen und festgestellt, dass durch den heißen fast der gesamte Strom fließt.
Kann ja auch sein dass es je nach Typ mehr oder weniger Stark varriert. Ich hatte den IRF3710 verwendet.
Als Shunt
dienen hier die Sourcewiderstände der
FETs (R12 und R13). Da die FETs sehr
unterschiedlich ausfallen können,
haben sie relativ große Shuntwiderstände
von 1Ohm erhalten.
Das ist ein Auszug aus nem Elektor-Artikel von einem Netzteil mit MOSFETS als Längsregler
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st3f4n hat geschrieben:Am einfachsten ein Emitterfolger vom Eingang an nen Pulldown/Gate ...
Naja ich denke man braucht schon besser nen Push-Pull-Treiber..
Also man würde ja die Bereichs-FET's zum pulsen nehmen.
Aber wenn man da den FET-Treiber übelst "pimpt" und die dinger im 1µs-Takt ein- und ausschaltet - wer sagt denn dass die Stromregelung da überhaupt noch hinterher kommt? Da hat man doch dann mehr überschwinger als nen Gleichstrom. Von daher denk ich man könnte sich den FET-Treiber fast sparen und müsste sich mit ein bisschen längeren Schltzeiten zufrieden geben. Oder was meint ihr?
@Rainer:
Ok das war nen Schuss in den Ofen, gebe ich ja zu
